1、高带宽存储器（HBM）概述
根据观研报告网发布的《中国高带宽存储器（HBM）行业发展趋势研究与投资前景预测报告（2024-2031年）》显示，HBM (High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，是易失性存储器的一种。作为全新一代的CPU/GPU内存芯片，HBM本质上是指基于2.5/3D先进封装技术，把多块DRAM堆叠起来后与GPU芯片封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。
高带宽存储器（HBM）产业链图解
资料来源：观研天下整理
2、高带宽存储器（HBM）技术多年迭代
随着集成电路工艺技术的发展，3D和2.5D系统级封装（SiP）和硅通孔（TSV）技术日益成熟，为研制高带宽、大容量的存储器产品提供了基础。国际电子元件工业联合会（JEDEC）先后制定3代、多个系列版本的高带宽存储器（HBM、HBM2、HBM2E、HBM3）标准。
高带宽存储器（HBM）技术迭代
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3、全球HBM行业规模增速快，中国市场超过20亿元
近年来，随着市场对高带、低功耗和高度可扩展内存需求不断增长，再加上人工智能普及及电子设备小型化、汽车和其他应用领域需求持续增加的趋势下，全球HBM行业规模增速快。根据数据显示，2023年，全球HBM市场规模约为20.4亿美元，预计2028年或将达到63.2亿美元，2023-2028年复合年增长率约为25%。在中国市场，2023年国内HBM市场规模约为25.3亿元。
数据来源：观研天下整理
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4、SK Hynix、三星、美光三足鼎立，HBM行业竞争激烈
在市场竞争方面，由于HBM制造工艺包括TSV打孔、电镀、抛光等前道工艺以及混合键合等后道工艺，对设备和材料的要求极高，导致其生产成本也相对较高，所以HBM属于高技术门槛行业，行业企业极少。从市占率来看，全球三大原厂HBM市占率分别为SK Hynix（SK Hynix）50%、三星（Samsung）约40%、美光（Micron）约10%。
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同时，随着HBM技术迭代，三大原厂也不断进行技术创新，以此抢占更多市场份额。例如，随着越来越多客户导入HBM3，SK Hynix作为目前唯一量产新世代HBM3产品的供应商，其整体HBM市占率可望提升至53%，而三星、美光则预计陆续在2023年底至2024年初量产，HBM市占率分别为38%及9%。
目前，我国虽有部分企业开始研究HBM，但距离自主开发、生产HBM仍然有较大的距离，市场主要由三星及SK Hynix主导，尤其是SK Hynix，在HBM技术方面居于领先水平，占据较大的市场份额。总体而言，HBM属于高技术门槛行业，行业企业极少，其发展空间较大，并且有可能受益于高端芯片国产替代的大趋势、政策支持算力产业发展所产生需求的长期驱动。（WYD）